Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IRF630NS
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF630NS-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12804966
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF630NS Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9.3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
300mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
575 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
82W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
IRF630NS-DG
Tehnični listi
IRF630NS
Dodatne informacije
Druga imena
*IRF630NS
Standardni paket
200
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF630SPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
327
ŠTEVILKA DELA
IRF630SPBF-DG
CENA ENOTE
0.62
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRF630STRRPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
557
ŠTEVILKA DELA
IRF630STRRPBF-DG
CENA ENOTE
0.66
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRF630NSTRLPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1454
ŠTEVILKA DELA
IRF630NSTRLPBF-DG
CENA ENOTE
0.44
VRSTA NADOMESTILA
Direct
ŠTEVILO DELA
IRF630STRLPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
1593
ŠTEVILKA DELA
IRF630STRLPBF-DG
CENA ENOTE
0.65
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STB19NF20
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
STB19NF20-DG
CENA ENOTE
0.62
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPI147N12N3GAKSA1
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
IPAN50R500CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
IRFH5300TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
IRF5802
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6