Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IRF640NPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF640NPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
63317 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804294
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF640NPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
18A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
150mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1160 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRF640
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IRF640N(S,L)PbF
HTML tehnični list
IRF640NPBF-DG
Tehnični listi
IRF640NPBF
Dodatne informacije
Druga imena
SP001570078
*IRF640NPBF
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF640PBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
1594
ŠTEVILKA DELA
IRF640PBF-DG
CENA ENOTE
0.73
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
PHP20NQ20T,127
PROIZVAJALEC
NXP Semiconductors
KOLIČINA NA VOLJO
8796
ŠTEVILKA DELA
PHP20NQ20T,127-DG
CENA ENOTE
1.02
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
PJP18N20_T0_00001
PROIZVAJALEC
Panjit International Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
13119
ŠTEVILKA DELA
PJP18N20_T0_00001-DG
CENA ENOTE
0.46
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRFB4620PBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
724
ŠTEVILKA DELA
IRFB4620PBF-DG
CENA ENOTE
1.02
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STP17NF25
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
2020
ŠTEVILKA DELA
STP17NF25-DG
CENA ENOTE
0.55
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPP77N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
IPB041N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
IRF1010ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRLIZ34N
MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP