Številka izdelka proizvajalca:
IRF6603
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF6603-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Podroben opis:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 92A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Zaloga:
12804028
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF6603 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
27A (Ta), 92A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
+20V, -12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6590 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DIRECTFET™ MT
Paket / Primer
DirectFET™ Isometric MT
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IRF6603TR
SP001530098
IRF6603CT
*IRF6603
Standardni paket
4,800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 Hours)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
PSMN3R5-30YL,115
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
7138
ŠTEVILKA DELA
PSMN3R5-30YL,115-DG
CENA ENOTE
0.40
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SPA20N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
IPT012N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
IPP60R125P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
