Številka izdelka proizvajalca:
IRF6643TR1PBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF6643TR1PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Podroben opis:
N-Channel 150 V 6.2A (Ta), 35A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Zaloga:
12810367
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF6643TR1PBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.2A (Ta), 35A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
34.5mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.9V @ 150µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2340 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DIRECTFET™ MZ
Paket / Primer
DirectFET™ Isometric MZ
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IRF6643TR1PBFTR
IRF6643TR1PBFCT
IRF6643TR1PBFDKR
SP001554104
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF6643TRPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
10693
ŠTEVILKA DELA
IRF6643TRPBF-DG
CENA ENOTE
0.85
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRLR7821TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
IRFS3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IRFB3307
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
