Številka izdelka proizvajalca:
IRF6678TR1PBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF6678TR1PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Podroben opis:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Zaloga:
12803913
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF6678TR1PBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
30A (Ta), 150A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.25V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5640 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DIRECTFET™ MX
Paket / Primer
DirectFET™ Isometric MX
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IRF6678TR1PBFTR
IRF6678TR1PBFCT
SP001525486
IRF6678TR1PBFDKR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPP200N15N3GHKSA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
IRF9335PBF
MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
IRFS52N15DTRRP
MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK