Številka izdelka proizvajalca:
IRF6721STR1PBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF6721STR1PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Podroben opis:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Zaloga:
12805599
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF6721STR1PBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
14A (Ta), 60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7.3mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 25µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1430 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DIRECTFET™ SQ
Paket / Primer
DirectFET™ Isometric SQ
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001526984
IRF6721STR1PBFTR
IRF6721STR1PBFDKR
IRF6721STR1PBFCT
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
PSMN7R0-30YL,115
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
2799
ŠTEVILKA DELA
PSMN7R0-30YL,115-DG
CENA ENOTE
0.23
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPF06N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
IPP100N06S3L-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
IPB80N06S207ATMA4
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3