Številka izdelka proizvajalca:
IRF6725MTR1PBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF6725MTR1PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Podroben opis:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Zaloga:
12807102
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF6725MTR1PBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
28A (Ta), 170A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.35V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
54 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4700 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DIRECTFET™ MX
Paket / Primer
DirectFET™ Isometric MX
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IRF6725MTR1PBFCT
IRF6725MTR1PBFTR
IRF6725MTR1PBFDKR
SP001530850
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
PSMN2R0-30YL,115
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
20769
ŠTEVILKA DELA
PSMN2R0-30YL,115-DG
CENA ENOTE
0.57
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRLR9343TRPBF
MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
IRLR8503TRL
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
IRFR3505PBF
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
