Številka izdelka proizvajalca:
IRF7101PBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF7101PBF-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8SO
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
Zaloga:
12804173
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF7101PBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Discontinued at Digi-Key
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.5A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
100mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
320pF @ 15V
Moč - največja
2W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-SO
Osnovna številka izdelka
IRF71
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP001559728
Standardni paket
95
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPG20N04S408AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
IRF7507TR
MOSFET N/P-CH 20V MICRO8
IRF3575DTRPBF
MOSFET 2N-CH 25V 303A 32QFN