Številka izdelka proizvajalca:
IRF7460
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF7460-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
Podroben opis:
N-Channel 20 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Zaloga:
12804472
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF7460 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2050 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SO
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
*IRF7460
Standardni paket
95
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
DMN2009LSS-13
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
1816
ŠTEVILKA DELA
DMN2009LSS-13-DG
CENA ENOTE
0.22
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPP084N06L3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
IRFS3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IRF9321TRPBF
MOSFET P-CH 30V 15A 8SO