Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IRF7476
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF7476-DG
Opis:
MOSFET N-CH 12V 15A 8SO
Podroben opis:
N-Channel 12 V 15A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12803828
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
f
P
1
5
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF7476 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
12 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
15A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.9V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2550 pF @ 6 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SO
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IRF7476
HTML tehnični list
IRF7476-DG
Tehnični listi
IRF7476
Dodatne informacije
Druga imena
*IRF7476
Q1332195
Standardni paket
95
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STS6NF20V
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
8427
ŠTEVILKA DELA
STS6NF20V-DG
CENA ENOTE
0.25
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF3515L
MOSFET N-CH 150V 41A TO262
IRF1104STRR
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
IPP80R900P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
IRFS7437-7PPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK