Številka izdelka proizvajalca:
IRF7769L2TR1PBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF7769L2TR1PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Podroben opis:
N-Channel 100 V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Zaloga:
12805589
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF7769L2TR1PBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
375A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 74A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
11560 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DirectFET™ Isometric L8
Paket / Primer
DirectFET™ Isometric L8
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IRF7769L2TR1PBFCT
SP001566410
IRF7769L2TR1PBFDKR
IRF7769L2TR1PBFTR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
AUIRF7769L2TR
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
7950
ŠTEVILKA DELA
AUIRF7769L2TR-DG
CENA ENOTE
4.77
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF9530NPBF
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRF7321D2TR
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO
IRLU8726PBF
MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
