Številka izdelka proizvajalca:
IRF7799L2TR1PBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF7799L2TR1PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Podroben opis:
N-Channel 250 V 375A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Zaloga:
12805819
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF7799L2TR1PBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
375A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
38mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6714 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
4.3W (Ta), 125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DirectFET™ Isometric L8
Paket / Primer
DirectFET™ Isometric L8
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001560006
IRF7799L2TR1PBFDKR
IRF7799L2TR1PBFCT
IRF7799L2TR1PBFTR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
AUIRF7799L2TR
PROIZVAJALEC
International Rectifier
KOLIČINA NA VOLJO
5733
ŠTEVILKA DELA
AUIRF7799L2TR-DG
CENA ENOTE
4.15
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF640NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
IPP80N08S2L07AKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
IRF7607TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
