Številka izdelka proizvajalca:
IRF7799L2TRPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF7799L2TRPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Podroben opis:
N-Channel 250 V 35A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Zaloga:
13064129
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF7799L2TRPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Stanje dela
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
35A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
38mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6714 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
4.3W (Ta), 125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DirectFET™ Isometric L8
Paket / Primer
DirectFET™ Isometric L8
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IRF7799L2TRPBF-ND
IRF7799L2TRPBFCT
IRF7799L2TRPBFTR
SP001551508
IRF7799L2TRPBFDKR
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF7413ZPBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
IPU80R1K4P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
IPB65R310CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263-3
