Številka izdelka proizvajalca:
IRF8308MTRPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF8308MTRPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Podroben opis:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Zaloga:
12807096
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF8308MTRPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
27A (Ta), 150A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.35V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4404 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DIRECTFET™ MX
Paket / Primer
DirectFET™ Isometric MX
Osnovna številka izdelka
IRF8308
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP001570686
Standardni paket
4,800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SPA08N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220-FP
IRLL024ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
IRL1104
MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB
