Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IRF9Z34NSTRR
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF9Z34NSTRR-DG
Opis:
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Podroben opis:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12804003
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF9Z34NSTRR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
19A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
100mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
620 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IRF9Z34NS/L
HTML tehnični list
IRF9Z34NSTRR-DG
Tehnični listi
IRF9Z34NSTRR
Dodatne informacije
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF9Z34STRRPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
398
ŠTEVILKA DELA
IRF9Z34STRRPBF-DG
CENA ENOTE
1.20
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRF9Z34STRLPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
5359
ŠTEVILKA DELA
IRF9Z34STRLPBF-DG
CENA ENOTE
0.79
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRF9Z34SPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
1625
ŠTEVILKA DELA
IRF9Z34SPBF-DG
CENA ENOTE
0.76
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
FQB22P10TM
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
FQB22P10TM-DG
CENA ENOTE
0.79
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRF9Z34NSTRLPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
2148
ŠTEVILKA DELA
IRF9Z34NSTRLPBF-DG
CENA ENOTE
0.46
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF1405LPBF
MOSFET N-CH 55V 131A TO262
IPC60R385CPX1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IRF7811WTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IRF6691TRPBF
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET