Številka izdelka proizvajalca:
IRFB3077PBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRFB3077PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
4119 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12806064
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFB3077PBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
75 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9400 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
370W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRFB3077
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IFEINFIRFB3077PBF
2156-IRFB3077PBFINF
64-0091PBF-DG
SP001575594
64-0091PBF
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPU50R3K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
VN0106N3-G-P003
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
IRF8252TRPBF
MOSFET N-CH 25V 25A 8SO
