IRFB3077PBF
Številka izdelka proizvajalca:

IRFB3077PBF

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

IRFB3077PBF-DG

Opis:

MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB

Zaloga:

4119 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12806064
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IRFB3077PBF Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
75 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9400 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
370W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRFB3077

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
IFEINFIRFB3077PBF
2156-IRFB3077PBFINF
64-0091PBF-DG
SP001575594
64-0091PBF
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
infineon-technologies

IPU50R3K0CEAKMA1

MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3

microchip-technology

VN0106N3-G-P003

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

infineon-technologies

IRF8252TRPBF

MOSFET N-CH 25V 25A 8SO

infineon-technologies

IRFU220N

MOSFET N-CH 200V 5A IPAK