Številka izdelka proizvajalca:
IRFB3206PBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRFB3206PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
25755 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12852466
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFB3206PBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 150µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6540 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRFB3206
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001566480
448-IRFB3206PBF
64-0088PBF-DG
IRFB3206PBF-DG
64-0088PBF
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSP316PE6327
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
IRFSL31N20D
MOSFET N-CH 200V 31A TO262
MMFT2955ET1G
MOSFET POWER 1A 60V SOT-223
