Številka izdelka proizvajalca:
IRFH3707TRPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRFH3707TRPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Podroben opis:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 29A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Zaloga:
7498 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804592
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFH3707TRPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Ta), 29A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
12.4mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.35V @ 25µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8.1 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
755 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.8W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-PQFN (3x3)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
IRFH3707
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IRFH3707TRPBFCT
SP001551876
IRFH3707TRPBF-DG
IRFH3707TRPBFDKR
IRFH3707TRPBFTR
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB05N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPC100N04S5L1R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IPD60R950C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3