Številka izdelka proizvajalca:
IRFH4210TRPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRFH4210TRPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Podroben opis:
N-Channel 25 V 45A (Ta) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Zaloga:
12806461
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFH4210TRPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
25 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
45A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.35mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.1V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4812 pF @ 13 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PQFN (5x6)
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IRFH4210TRPBFDKR
SP001572516
IRFH4210TRPBFCT
IRFH4210TRPBFTR
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SPB100N08S2L-07
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
IRF6726MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IRF4104SPBF
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
