Številka izdelka proizvajalca:
IRFH7187TRPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRFH7187TRPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 18A/105A 8PQFN
Podroben opis:
N-Channel 100 V 18A (Ta), 105A (Tc) 3.8W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Zaloga:
12804676
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFH7187TRPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
FASTIRFET™, HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
18A (Ta), 105A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.6V @ 150µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2116 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.8W (Ta), 132W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-PQFN (5x6)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001566852
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STL100N10F7
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
88704
ŠTEVILKA DELA
STL100N10F7-DG
CENA ENOTE
0.98
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB60R199CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3
IRF1407STRLPBF
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
IRFS4310ZPBF
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
