Številka izdelka proizvajalca:
IRFHM4226TRPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRFHM4226TRPBF-DG
Opis:
MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Podroben opis:
N-Channel 25 V 28A (Ta) 2.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount
Zaloga:
12822708
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFHM4226TRPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
25 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
28A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.1V @ 50µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2000 pF @ 13 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.7W (Ta), 39W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-TQFN Exposed Pad
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IRFHM4226TRPBFCT
IRFHM4226TRPBFTR
SP001556568
IRFHM4226TRPBFDKR
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
BSZ0901NSIATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
5318
ŠTEVILKA DELA
BSZ0901NSIATMA1-DG
CENA ENOTE
0.50
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF6201TRPBF
MOSFET N-CH 20V 27A 8SO
IRFI4410ZPBF
MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB FP
XR46000ESETR
MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223