Številka izdelka proizvajalca:
IRFHM792TRPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRFHM792TRPBF-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Podroben opis:
Mosfet Array 100V 2.3A 2.3W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Zaloga:
12805292
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFHM792TRPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
100V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.3A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
195mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 10µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6.3nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
251pF @ 25V
Moč - največja
2.3W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Paket naprav dobavitelja
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Osnovna številka izdelka
IRFHM792
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP001554848
448-IRFHM792TRPBFTR
448-IRFHM792TRPBFDKR
IRFHM792TRPBF-DG
448-IRFHM792TRPBFCT
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SI7922DN-T1-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
42035
ŠTEVILKA DELA
SI7922DN-T1-GE3-DG
CENA ENOTE
0.65
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
SI7922DN-T1-E3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
1485
ŠTEVILKA DELA
SI7922DN-T1-E3-DG
CENA ENOTE
0.68
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFI4019H-117P
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5
IRF5850
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
IRFHM8363TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
