IRFL1006
Številka izdelka proizvajalca:

IRFL1006

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

IRFL1006-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
Podroben opis:
N-Channel 60 V 1.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223

Zaloga:

12805717
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IRFL1006 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
220mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
160 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-223
Paket / Primer
TO-261-4, TO-261AA

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
*IRFL1006
Standardni paket
80

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
ZXMN6A11GTA
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
1669
ŠTEVILKA DELA
ZXMN6A11GTA-DG
CENA ENOTE
0.22
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
BSP295H6327XTSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
943
ŠTEVILKA DELA
BSP295H6327XTSA1-DG
CENA ENOTE
0.31
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
infineon-technologies

IRFR5410PBF

MOSFET P-CH 100V 13A DPAK

infineon-technologies

IRF1405ZSTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

infineon-technologies

IRL1004SPBF

MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK

infineon-technologies

IPD65R650CEATMA1

MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3