IRFL4105

Številka izdelka proizvajalca:

IRFL4105

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

IRFL4105-DG

Opis:

MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223

Podroben opis:

N-Channel 55 V 3.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12803714

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

IRFL4105 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Infineon Technologies

Pakiranje

-

Serije

HEXFET®

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

55 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

3.7A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

45mOhm @ 3.7A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

4V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

35 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

660 pF @ 25 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

1W (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

SOT-223

Paket / Primer

TO-261-4, TO-261AA

Tehnični list in dokumenti

Viri za oblikovanje

IRFL4105TR Saber Model

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

*IRFL4105

SP001554898

Standardni paket

80

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

RoHS non-compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

infineon-technologies

IPN80R900P7ATMA1

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223

infineon-technologies

IRFR540ZPBF

MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

infineon-technologies

IPP60R380P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3

infineon-technologies

IPW65R280E6FKSA1

MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3