Številka izdelka proizvajalca:
IRFP22N50APBFXKMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRFP22N50APBFXKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Podroben opis:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247AC
Zaloga:
12805289
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFP22N50APBFXKMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
22A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
230mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3450 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
277W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247AC
Paket / Primer
TO-247-3
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001560506
Standardni paket
400
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRFP22N50APBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
1827
ŠTEVILKA DELA
IRFP22N50APBF-DG
CENA ENOTE
2.41
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
ŠTEVILO DELA
SIHG22N50D-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
SIHG22N50D-GE3-DG
CENA ENOTE
2.62
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFR5305TRL
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
IRFSL3607PBF
MOSFET N-CH 75V 80A TO262
IRFR13N20DTRL
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
