Številka izdelka proizvajalca:
IRFP4368PBFXKMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRFP4368PBFXKMA1-DG
Opis:
TRENCH 40<-<100V
Podroben opis:
N-Channel 75 V 195A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Zaloga:
13269396
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFP4368PBFXKMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
75 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
195A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.85mOhm @ 195A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
570 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
19230 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
520W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
-
Kvalifikacija
-
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247AC
Paket / Primer
TO-247-3
Dodatne informacije
Druga imena
448-IRFP4368PBFXKMA1
SP005732706
Standardni paket
400
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRFP4368PBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IRFP4368PBF-DG
CENA ENOTE
3.21
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF7465TRPBFXTMA1
PLANAR 40<-<100V
IMBG65R007M2HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
BSB028N06NN3GXUMA2
TRENCH 40<-<100V