Številka izdelka proizvajalca:
IRFR120ZTRPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRFR120ZTRPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 8.7A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Zaloga:
12134 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12802845
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFR120ZTRPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8.7A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
190mOhm @ 5.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
310 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
35W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA (DPAK)
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IRFR120
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IRFR120ZTRPBFDKR
SP001554998
IRFR120ZTRPBFCT
IRFR120ZTRPBFTR
IRFR120ZTRPBF-DG
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPP60R380E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
IRFZ48NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
IPB160N04S2L03ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
