Številka izdelka proizvajalca:
IRFS31N20DTRRP
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRFS31N20DTRRP-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 200 V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Zaloga:
12805865
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFS31N20DTRRP Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Discontinued at Digi-Key
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
31A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
82mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2370 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.1W (Ta), 200W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001552276
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRLZ44ZPBF
MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
IRF6711STR1PBF
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
IRLR120NPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
