IRL3103D2S
Številka izdelka proizvajalca:

IRL3103D2S

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

IRL3103D2S-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 30 V 54A (Tc) Surface Mount D2PAK

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12807231
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IRL3103D2S Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
FETKY™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
54A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
14mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
-
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2300 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
-
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
IRL3103D2S-DG
Tehnični listi
IRL3103D2S

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
infineon-technologies

SPI11N60CFDHKSA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3

infineon-technologies

IRLHM630TRPBF

MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN

infineon-technologies

IRF1010EZLPBF

MOSFET N-CH 60V 75A TO262

infineon-technologies

IRL1104S

MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK