Številka izdelka proizvajalca:
IRL530NSTRLPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRL530NSTRLPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
Zaloga:
21055 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12814792
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRL530NSTRLPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
17A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
100mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
34 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
800 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.8W (Ta), 79W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRL530
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001568266
IRL530NSTRLPBFDKR
IRL530NSTRLPBF-DG
IRL530NSTRLPBFCT
IRL530NSTRLPBFTR
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF7401PBF
MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
CSD17578Q3AT
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
IRFS7430TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
