Številka izdelka proizvajalca:
IRL60SL216
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRL60SL216-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 195A TO262-3
Podroben opis:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262-3
Zaloga:
12808672
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRL60SL216 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®, StrongIRFET™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
195A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.95mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
255 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
15330 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
375W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-262-3
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IRL60SL216
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP001558100
2156-IRL60SL216
IFEINFIRL60SL216
IRL60SL216 -DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPS040N03LGBKMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
IRLR3705Z
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRF7403TR
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
