Številka izdelka proizvajalca:
IRLH5030TRPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRLH5030TRPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Podroben opis:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Zaloga:
8710 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12807731
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRLH5030TRPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13A (Ta), 100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 150µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5185 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-PQFN (5x6)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
IRLH5030
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IRLH5030TRPBF-DG
IRLH5030TRPBFTR
IRLH5030TRPBFCT
IRLH5030TRPBFDKR
SP001558752
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TP0606N3-G-P003
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
SPB100N08S2-07
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
SIPC26N80C3
MOSFET COOL MOS 600V SAWED WAFER
