Številka izdelka proizvajalca:
IRLL014NTRPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRLL014NTRPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Podroben opis:
N-Channel 55 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Zaloga:
33778 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12807544
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRLL014NTRPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
140mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
230 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-223
Paket / Primer
TO-261-4, TO-261AA
Osnovna številka izdelka
IRLL014
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
*IRLL014NTRPBF
IRLL014NPBFTR
IRLL014NPBFCT
SP001578654
IRLL014NPBFDKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRLL024ZPBF
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
IRFR3412TRPBF
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
SPP07N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
