Številka izdelka proizvajalca:
IRLML6401TRPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRLML6401TRPBF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Podroben opis:
P-Channel 12 V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Zaloga:
40009 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12807082
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRLML6401TRPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
12 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.3A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
50mOhm @ 4.3A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
950mV @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
830 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.3W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
Micro3™/SOT-23
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
IRLML6401
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IRLML6401GTRPBF-DG
IRLML6401GTRPBF
IRLML6401PBFCT
SP001577044
IRLML6401GTRPBFCT
IRLML6401GTRPBFTR
IRLML6401GTRPBFDKR
IRLML6401GTRPBFCT-DG
IRLML6401GTRPBFDKR-DG
IRLML6401GTRPBFTR-DG
IRLML6401PBFDKR
SP001568584
IRLML6401PBFTR
*IRLML6401TRPBF
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRL5602STRR
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
IRFSL3107PBF
MOSFET N-CH 75V 195A TO262
IRF9520NSTRL
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
