Številka izdelka proizvajalca:
IRLR120NTRPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRLR120NTRPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Zaloga:
8535 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12807357
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRLR120NTRPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
185mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
440 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
48W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA (DPAK)
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IRLR120
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IRLR120NPBFDKR
IRLR120NPBFCT
IRLR120NPBFTR
SP001574026
*IRLR120NTRPBF
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SPI08N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO262-3
IRLU8113PBF
MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK
IRLL024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
