Številka izdelka proizvajalca:
IRLR2705TRPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRLR2705TRPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 55 V 28A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Zaloga:
14695 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12806290
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRLR2705TRPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
28A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
40mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
880 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
68W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA (DPAK)
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IRLR2705
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
*IRLR2705TRPBF
IRLR2705PBFCT
IRLR2705PBFTR
IRLR2705TRPBFTR-DG
IRLR2705PBFDKR
IRLR2705TRPBF-DG
SP001578864
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF6714MTR1PBF
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
IRF2204SPBF
MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK
SPW07N60CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO247-3
