Številka izdelka proizvajalca:
ISC012N04LM6ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
ISC012N04LM6ATMA1-DG
Opis:
TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Podroben opis:
N-Channel 40 V 37A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Zaloga:
11650 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12965327
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
ISC012N04LM6ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™ 6
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
37A (Ta), 238A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4600 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3W (Ta), 125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8 FL
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
ISC012N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP005559102
448-ISC012N04LM6ATMA1DKR
448-ISC012N04LM6ATMA1TR
448-ISC012N04LM6ATMA1CT
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PJC7404_R1_00001
SOT-323, MOSFET
ISZ0702NLSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
SI3454CDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP
