Številka izdelka proizvajalca:
ISC0803NLSATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
ISC0803NLSATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 8.8A/37A 8TDSON
Podroben opis:
N-Channel 100 V 8.8A (Ta), 37A (Tc) 2.5W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Zaloga:
2433 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12965939
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
ISC0803NLSATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™ 5
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8.8A (Ta), 37A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
16.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 18µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1000 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 43W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
ISC0803N
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
448-ISC0803NLSATMA1DKR
448-ISC0803NLSATMA1TR
SP005430489
448-ISC0803NLSATMA1CT
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
ISZ0804NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
ISZ0803NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
ISC0806NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON