Številka izdelka proizvajalca:
ISC230N10NM6ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
ISC230N10NM6ATMA1-DG
Opis:
TRENCH >=100V PG-TDSON-9
Podroben opis:
N-Channel 100 V 7.7A (Ta), 31A (Tc) 3W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Zaloga:
10000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12973605
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
ISC230N10NM6ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™ 6
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7.7A (Ta), 31A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
8V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
23mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.3V @ 13µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
690 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3W (Ta), 48W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8 FL
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
ISC230N
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-ISC230N10NM6ATMA1TR
448-ISC230N10NM6ATMA1CT
448-ISC230N10NM6ATMA1DKR
SP005402670
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PJMF900N60E1_T0_00001
600V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
PJW1NA60A_R2_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
PJL9407_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
