Številka izdelka proizvajalca:
ISP25DP06NMXTSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
ISP25DP06NMXTSA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Podroben opis:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
Zaloga:
3973 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12807335
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
ISP25DP06NMXTSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.9A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
250mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 270µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
420 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT223-4
Paket / Primer
TO-261-4, TO-261AA
Osnovna številka izdelka
ISP25DP06
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP004987272
ISP25DP06NMXTSA1-DG
448-ISP25DP06NMXTSA1DKR
448-ISP25DP06NMXTSA1TR
448-ISP25DP06NMXTSA1CT
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFB4510GPBF
MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB
SPD08N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
SPD04N50C3BTMA1
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO252-3
