Številka izdelka proizvajalca:
ISP75DP06LMXTSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
ISP75DP06LMXTSA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
Podroben opis:
P-Channel 60 V 1.1A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
Zaloga:
1578 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12806059
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
ISP75DP06LMXTSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.1A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
750mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 77µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
120 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT223-4
Paket / Primer
TO-261-4, TO-261AA
Osnovna številka izdelka
ISP75D
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-ISP75DP06LMXTSA1
SP004987274
ISP75DP06LMXTSA1-DG
INFINFISP75DP06LMXTSA1
448-ISP75DP06LMXTSA1DKR
448-ISP75DP06LMXTSA1CT
448-ISP75DP06LMXTSA1TR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF3704ZCSTRRP
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
IRFS3206TRRPBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IRF6623TRPBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
