Številka izdelka proizvajalca:
ISZ106N12LM6ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
ISZ106N12LM6ATMA1-DG
Opis:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Podroben opis:
N-Channel 120 V 10A (Ta), 62A (Tc) 2.5W (Ta), 94W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 FL
Zaloga:
12992710
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
ISZ106N12LM6ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™ 6
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
120 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Ta), 62A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
3.3V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10.6mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 35µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1800 pF @ 60 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 94W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TSDSON-8 FL
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
ISZ106
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-ISZ106N12LM6ATMA1CT
448-ISZ106N12LM6ATMA1DKR
448-ISZ106N12LM6ATMA1TR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
ISC104N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
DMN2991UFZQ-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-
DMN1019USNQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10
