Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
SPB02N60C3ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
SPB02N60C3ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12806749
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SPB02N60C3ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.9V @ 80µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
200 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
25W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3-2
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
SPB02N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
SPB02N60C3
HTML tehnični list
SPB02N60C3ATMA1-DG
Tehnični listi
SPB02N60C3ATMA1
Dodatne informacije
Druga imena
SPB02N60C3
SPB02N60C3ATMA1TR
SPB02N60C3XT
SPB02N60C3XT-DG
2156-SPB02N60C3ATMA1
IFEINFSPB02N60C3ATMA1
SPB02N60C3INTR-DG
SPB02N60C3INCT-DG
SPB02N60C3ATMA1CT
SPB02N60C3INCT
SPB02N60C3INTR
SP000013516
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STD3N62K3
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
3586
ŠTEVILKA DELA
STD3N62K3-DG
CENA ENOTE
0.36
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRFBE30SPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IRFBE30SPBF-DG
CENA ENOTE
1.34
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SPP20N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
SPD50N03S207GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
SPI07N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO262-3
IRF1310NSTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK