Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
SPB100N03S2-03
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
SPB100N03S2-03-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
Podroben opis:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12807683
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SPB100N03S2-03 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7020 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3-2
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
SPB100N
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
SPB100N03S2-03-DG
Tehnični listi
SPB100N03S2-03
Dodatne informacije
Druga imena
SPB100N03S203INCT
SPB100N03S203INTR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
PSMN4R3-30BL,118
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
9945
ŠTEVILKA DELA
PSMN4R3-30BL,118-DG
CENA ENOTE
0.58
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
SPB100N03S203T
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
4457
ŠTEVILKA DELA
SPB100N03S203T-DG
CENA ENOTE
1.34
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
ŠTEVILO DELA
PSMN3R4-30BL,118
PROIZVAJALEC
NXP USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
900
ŠTEVILKA DELA
PSMN3R4-30BL,118-DG
CENA ENOTE
0.57
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
PSMN2R7-30BL,118
PROIZVAJALEC
NXP USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
1450
ŠTEVILKA DELA
PSMN2R7-30BL,118-DG
CENA ENOTE
0.73
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SPP24N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3
IRLR3714Z
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
IRL3103STRL
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
IRL3716SPBF
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK