Številka izdelka proizvajalca:
SPD02N50C3BTMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
SPD02N50C3BTMA1-DG
Opis:
LOW POWER_LEGACY
Podroben opis:
N-Channel 500 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-311
Zaloga:
12807912
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SPD02N50C3BTMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.9V @ 80µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
190 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
25W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3-311
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
SPD02N
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-SPD02N50C3BTMA1-ITTR
SP000313942
INFINFSPD02N50C3BTMA1
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPD60R1K5CEAUMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
25223
ŠTEVILKA DELA
IPD60R1K5CEAUMA1-DG
CENA ENOTE
0.19
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRLR8103TR
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
SPP04N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-3
SPP35N10
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-3
