Številka izdelka proizvajalca:
SPD07N60C3ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
SPD07N60C3ATMA1-DG
Opis:
LOW POWER_LEGACY
Podroben opis:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Zaloga:
4363 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13064327
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SPD07N60C3ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Stanje dela
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7.3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.9V @ 350µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
790 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
83W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3-313
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
SPD07N60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001117774
SPD07N60C3ATMA1-ND
448-SPD07N60C3ATMA1TR
448-SPD07N60C3ATMA1CT
448-SPD07N60C3ATMA1DKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SPP80N10L
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
SPA06N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-FP
BUK954R4-80E,127
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
