Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
SPI21N10
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
SPI21N10-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 21A TO262-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12807112
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SPI21N10 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
SIPMOS®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
21A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
80mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 44µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
865 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
90W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3-1
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
SPI21N
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
SPI21N10-DG
Tehnični listi
SPI21N10
Dodatne informacije
Druga imena
IFEINFSPI21N10
SPI21N10IN
2156-SPI21N10-IT
SPI21N10XK
SPI21N10X
SP000013843
SPI21N10-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF540ZLPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
862
ŠTEVILKA DELA
IRF540ZLPBF-DG
CENA ENOTE
0.53
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRF540NLPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
5178
ŠTEVILKA DELA
IRF540NLPBF-DG
CENA ENOTE
0.63
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SPD50N03S2L06GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IRLU9343PBF
MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
IRL2505PBF
MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB
IRLR8726TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK