Številka izdelka proizvajalca:
SPP02N60S5HKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
SPP02N60S5HKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Zaloga:
12807465
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SPP02N60S5HKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5.5V @ 80µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
240 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
25W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3-1
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
SPP02N
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SPP02N60S5IN
SPP02N60S5XK
SPP02N60S5X
SPP02N60S5-DG
SPP02N60S5
SP000012390
SP000681016
SPP02N60S5IN-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRL3716S
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
IRLL2705TR
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
IRLR3110ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK