Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
SPP06N60C3XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
SPP06N60C3XKSA1-DG
Opis:
LOW POWER_LEGACY
Podroben opis:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 74W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12863090
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SPP06N60C3XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.2A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
750mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.9V @ 260µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
620 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
74W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3-1
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
SPP06N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
SPP06N60C3
HTML tehnični list
SPP06N60C3XKSA1-DG
Tehnični listi
SPP06N60C3XKSA1
Dodatne informacije
Druga imena
SP000681028
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP10NK60Z
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
905
ŠTEVILKA DELA
STP10NK60Z-DG
CENA ENOTE
1.46
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
SPP17N80C3XKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1700
ŠTEVILKA DELA
SPP17N80C3XKSA1-DG
CENA ENOTE
2.02
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IXTP4N65X2
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
232
ŠTEVILKA DELA
IXTP4N65X2-DG
CENA ENOTE
1.12
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IXTP10N60P
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXTP10N60P-DG
CENA ENOTE
2.26
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
3N163
MOSFET P-CH 40V 50MA TO72
IPP60R750E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-3
RJK1055DPB-00#J5
MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
UPA2600T1R-E2-AX
MOSFET N-CH 20V 7A 6HUSON