Številka izdelka proizvajalca:
SPP08P06PBKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
SPP08P06PBKSA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3
Podroben opis:
P-Channel 60 V 8.8A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zaloga:
12806931
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SPP08P06PBKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
SIPMOS®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
300mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
420 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
42W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
SPP08P
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SPP08P06PIN-DG
SPP08P06PXTIN
SPP08P06P
SPP08P06PIN
SPP08P06PXTIN-DG
SP000012085
SPP08P06PX
SPP08P06PXK
SPP08P06PIN-NDR
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRL3402S
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
IRLR2705TR
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
SN7002NL6433HTMA1
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
